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高选择性触点是薄膜太阳能电池实现高效率的关键。这些触点通常只允许一种载流子(空穴)传导，可以帮助阻挡其他类型的载流子(电子)。

通常而言，氧化镍(NiO)是制造这些触点的最佳材料，广泛应用于多种光伏技术。然而，要想用于先进结构的硅太阳能电池，就必须生产出厚度在纳米范围内的氧化镍薄膜(比一根头发还薄10万倍)。

也正因为如此，带来了不小的挑战。目前通过溅射工艺来开发纳米厚度的氧化镍膜非常昂贵，因为生产过程中使用的设备必须进口。此外，用于开发这些膜的前体成分，如乙酰丙酮镍，也非常昂贵。这项技术的成本限制了其使用的可能性。

近期，印度曼迪理工学院(IIT Mandi)的研究人员开发了一种低成本的工艺，可以用更便宜的原料生产超薄的金属氧化物薄膜。具体来说，他们使用气溶胶辅助化学气相沉积技术在硅衬底上沉积氧化镍薄膜。

领导这项研究的研究员Kunal Ghosh说：“气溶胶辅助化学气相沉积技术，通过气溶胶的形式传递气相前驱体，可以在包括硅在内的各种表面上产生高质量、均匀的薄膜。”

“气溶胶能够以高精度沉积广泛的氧化物基材料，使其成为适合材料科学和工程领域各种应用的一种且具有成本效益的通用方法。”他补充说。

具体而言，该研究小组使用六水合硝酸镍作为镍盐，在550下沉积15分钟，生成了厚度约为15纳米的氧化镍薄膜。不过，该项目仍处于开发的早期阶段。

研究人员表示，这项技术有可能被整个行业所采用。该研究将提高先进结构硅光伏器件的制造工艺，降低商业技术的成本和复杂性。

Ghosh说：“我们的研究表明，有可能开发出一种具有成本效益和可扩展的工艺来生产太阳能电池的金属氧化物层。这种新方法有可能通过降低当前生产技术的成本和复杂性来彻底改变太阳能行业。”

（文章来源：科创板日报）